半导体芯片用高纯硼靶

半导体芯片用高纯硼靶

纯度：≥99.9% 99.99%

规格：Φ≥20mm，50-100mm，＞100mm；T2-10mm；公差±0.1mm; 尺寸灵活可定制

晶粒尺寸：≤45μm

产品及公司优势

产品纯度高，杂质低，成分稳定，晶粒度细小，表面光洁，溅射面均匀。

在生产陶瓷靶、难熔金属靶、多元金属靶上占有优势，通过SPS烧结工艺，纯度高达5N，晶粒可控，小靶材日产能＞25块，尺寸灵活，交付迅速，满足科研实验、半导体芯片高端制造的严苛要求，同步提供靶材实验服务，7-15天快速交付，加速客户产品迭代与性能验证，持续为全球靶材行业赋能。

采用的电子束熔炼（EB）和真空自耗熔炼（VAR）工艺，实现高熔点金属的精准提纯，支持超大型靶材锭坯（单重500kg-2t）定制开发，纯度达99.99%-99.999%。

检测中心配备日本日立扫描电镜（5万倍）、ICP光谱仪等检测设备，对材料成分、晶粒度、致密度等20余项指标全流程监控，严格把控品质。

系列产品

金属靶、陶瓷靶、高熵合金靶、多元合金靶、高纯金属蒸发料、氟化物颗粒、氧化物颗粒、氮化物颗粒、碳化物颗粒、靶材用喷涂粉、靶材坯料等。

产品应用

高纯硼靶在科学实验或研究、微纳加工、器件制作等方面有广泛应用。具体应用领域包括半导体芯片、太阳能光伏、平面显示和特种涂层等。其独特的物理和化学性质使其在核物理、激光物理和功能玻璃等领域也有广泛的应用前景‌。

产品成分产品成分

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