PVD真空镀膜用钌靶

PVD真空镀膜用钌靶

纯度：≥99.95% 99.99%

规格：Φ≥20mm，50-100mm，＞100mm；T2-10mm；公差±0.1mm; 尺寸灵活可定制

密度：＞97%

晶粒尺寸：＜50μm‌

产品及公司优势

产品纯度高，晶粒度均匀，表面光洁，溅射面均匀，使用寿命长。品控严格，质量稳定，供货及时。

在生产陶瓷靶、难熔金属靶、多元金属靶上占有优势，通过SPS烧结工艺，纯度高达5N，晶粒可控，尺寸灵活，交付迅速，满足科研实验、半导体芯片高端制造的严苛要求，同步提供靶材实验服务，7-15天快速交付，加速客户产品迭代与性能验证，持续为全球靶材行业赋能。

采用的电子束熔炼（EB）和真空自耗熔炼（VAR）工艺，实现高熔点金属的精准提纯，支持超大型靶材锭坯（单重500kg-2t）定制开发，纯度达99.99%-99.999%。

检测中心配备日本日立扫描电镜（5万倍）、ICP光谱仪等检测设备，对材料成分、晶粒度、致密度等20余项指标全流程监控，严格把控品质。

系列产品

金属靶、陶瓷靶、高熵合金靶、二元/三元/多元合金靶、高纯金属蒸发料、化合物颗粒、靶材锭坯、靶材用喷涂粉。

产品应用

适用设备：应用于PVD技术镀膜材料，各种单靶材系统，多靶溅射系统，离子溅射系统等磁控溅射设备。

应用领域：科学实验研究方面应用，纳米加工，器件制造等相关产品，广泛应用于平面显示、半导体、太阳能电池、光学元器件、节能玻璃等领域。

技术参数