铪钕合金靶 支持定制

铪钕合金靶

铪钕合金靶

成分比例：Hf₉₅Nd₅ 、Hf₉₇Nd₃  ；任意成分定制

常用规格：Φ≥20mm，50-100mm，＞100mm；T2-10mm；公差±0.1mm;  尺寸灵活可定制

理论密度与颜色：≥99%  暗银色灰黑色

产品及公司优势

纯度高、致密度高、晶粒细小、低孔隙率，溅射均匀、尺寸灵活、任意成分定制、品控严格、交期迅速。具有高介电常数 (k) 与低漏电流、强铁电性、热稳定性提升、能带工程优势、潜在光学特性等优势。

在生产陶瓷靶、难熔金属靶、多元金属靶上占有优势，通过快速烧结工艺，纯度高达5N，晶粒可控，尺寸灵活，交付迅速，满足科研实验、半导体芯片制造的严苛要求，同步提供靶材实验服务，7-15天快速交付，加速客户产品迭代与性能验证，持续为全球靶材行业赋能。

采用全球的电子束熔炼（EB）和真空自耗熔炼（VAR）工艺，实现高熔点金属的提纯，支持超大型靶材锭坯（单重500kg-2t）定制开发，纯度达99.99%-99.999%。

检测中心配备日本日立扫描电镜、ICP光谱仪等检测设备，对材料成分、晶粒度、致密度等20余项指标全流程监控，严格把控品质。

系列产品

金属靶、陶瓷靶、二元合金靶、三元合金钯、多元合金靶、高熵合金靶、高纯金属蒸发料、化合物颗粒、高纯靶材坯料、靶材用喷涂粉等。

产品应用

适用工艺：反应磁控溅射；原子层沉积（ALD）；脉冲激光沉积 (PLD)

半导体核心应用：铁电存储器（FeRAM/FeFET）；负电容晶体管（NCFET）；高k栅介质（HKMG）

前沿探索应用：抗辐射电子器件；红外光学镀膜；阻变存储器（RRAM）

产品成分