钴锗合金靶 支持定制

钴锗合金靶
钴锗合金靶
成分比例:Co-20Ge、Co-25Ge ;任意成分定制
常用规格:Φ≥20mm,50-100mm,>100mm;T2-10mm;公差±0.1mm; 尺寸灵活可定制
理论密度与颜色:≥98% 银灰色金属光泽,略带蓝调(因锗的半导体特性影响反射光谱)
产品及公司优势
纯度高、致密度高、晶粒细小、低孔隙率,溅射均匀、尺寸灵活、任意成分定制、品控严格、交期迅速。具有低电阻率薄膜,热稳定性,附着强度好,减少膜层剥离,溅射速率高等优势。
在生产陶瓷靶、难熔金属靶、多元金属靶上占有优势,通过快速烧结工艺,纯度高达5N,晶粒可控,尺寸灵活,交付迅速,满足科研实验、半导体芯片高端制造的严苛要求,同步提供靶材实验服务,7-15天快速交付,加速客户产品迭代与性能验证,持续为全球靶材行业赋能。
采用的电子束熔炼(EB)和真空自耗熔炼(VAR)工艺,实现高熔点金属的精准提纯,支持超大型靶材锭坯(单重500kg-2t)定制开发,纯度达99.99%-99.999%。
检测中心配备日本日立扫描电镜、ICP光谱仪等检测设备,对材料成分、晶粒度、致密度等20余项指标全流程监控,严格把控品质。
系列产品
金属靶、陶瓷靶、二元合金靶、三元合金钯、多元合金靶、高熵合金靶、高纯金属蒸发料、化合物颗粒、高纯靶材坯料、靶材用喷涂粉等。
产品应用
适用工艺:直流磁控溅射、射频溅射
半导体器件:相变存储器(PCRAM)(Ge-Sb-Te系薄膜的电极接触层);阻挡层/粘附层(在Cu互连中替代Ta/TaN);硅化物接触(CoGe₂用于CMOS源/漏极欧姆接触)
功能薄膜:热电薄膜(Co-Ge-Sb系热电转换层)、磁传感层(与Fe、Mn等复合制备自旋电子学薄膜)
深空红外遮光罩:詹姆斯·韦伯望远镜遮光板深空红外遮光罩:詹姆斯·韦伯望远镜遮光板光学涂层:红外光学器件(用于3–5μm波段保护膜)
深空红外遮光罩:詹姆斯·韦伯望远镜遮光板
产品成分产品成分
产品成分