4N高纯氧化钇靶

4N高纯氧化钇靶

纯度：99.99% 99.999%

常用规格：Φ≥20mm，50-100mm，＞100mm；T2-10mm；公差±0.1mm; 尺寸灵活可定制

密度：≥98%

颜色：白/灰

产品及公司优势

在生产陶瓷靶、难熔金属靶、多元金属靶上占有优势，通过SPS烧结工艺，纯度高达5N，晶粒可控，小靶材日产能＞25块，尺寸灵活，交付迅速，满足科研实验、半导体芯片高端制造的严苛要求，同步提供靶材实验服务，7-15天快速交付，加速客户产品迭代与性能验证，持续为全球靶材行业赋能。

采用的电子束熔炼（EB）和真空自耗熔炼（VAR）工艺，实现高熔点金属的精准提纯，支持超大型靶材锭坯（单重500kg-2t）定制开发，纯度达99.99%-99.999%。

检测中心配备日本日立扫描电镜（5万倍）、ICP光谱仪等检测设备，对材料成分、晶粒度、致密度等20余项指标全流程监控，严格把控品质。

系列产品

金属靶、陶瓷靶、二元合金靶、多元合金靶、高熵合金靶、高纯金属蒸发料、化合物颗粒、高纯靶材坯料，靶材用喷涂粉等。

产品应用

适用于电子束蒸发/离子辅助沉积（IAD）工艺：光学镀膜（红外光学窗口、激光镜片、紫外截止滤光片）

原子层沉积（ALD）/磁控溅射：半导体器件（高k介电层、阻变存储器、硅基外延缓冲层）

电子束物理气相沉积（EB-PVD）：热障涂层（TBCs）（航空发动机涡轮叶片防护、高温传感器保护层）

脉冲激光沉积（PLD）：固体电解质

产品成分产品成分

产品成分