铱硅合金靶

铱硅合金靶

成分比例：Ir₃Si ；任意成分定制

常用规格：Φ≥20mm，50-100mm，＞100mm；T2-10mm；公差±0.1mm; 尺寸灵活可定制

理论密度与颜色：≥99% 银灰色灰白色的金属光泽

产品及公司优势

纯度高、致密度高、晶粒细小、低孔隙率，溅射均匀、尺寸灵活、任意成分定制、品控严格、交期迅速。具有优异的导电性、极高的化学稳定性与耐腐蚀性、的热稳定性、与硅基底的良好相容性、良好的阻挡层性能、低接触电阻潜力、高硬度与耐磨性等优势。

在生产陶瓷靶、难熔金属靶、多元金属靶上占有优势，通过快速烧结工艺，纯度高达5N，晶粒可控，尺寸灵活，交付迅速，满足科研实验、半导体芯片制造的严苛要求，同步提供靶材实验服务，7-15天快速交付，加速客户产品迭代与性能验证，持续为全球靶材行业赋能。

采用全球的电子束熔炼（EB）和真空自耗熔炼（VAR）工艺，实现高熔点金属的提纯，支持超大型靶材锭坯（单重500kg-2t）定制开发，纯度达99.99%-99.999%。

检测中心配备日本日立扫描电镜、ICP光谱仪等检测设备，对材料成分、晶粒度、致密度等20余项指标全流程监控，严格把控品质。

系列产品

金属靶、陶瓷靶、二元合金靶、三元合金钯、多元合金靶、高熵合金靶、高纯金属蒸发料、化合物颗粒、高纯靶材坯料、靶材用喷涂粉等。

产品应用

适用工艺：直流磁控溅射

半导体器件电极与接触：存储器（ 在 DRAM 电容、存储技术中用作下电极或扩散阻挡层）；逻辑器件（作为 p 型硅的接触材料，用于降低接触电阻）；硅化物接触层（作为肖特基接触或欧姆接触）

高温与耐腐蚀涂层：用于极端环境下的传感器、航天航空部件表面防护

扩散阻挡层：在铜互连结构中，阻挡铜原子向硅衬底或低 k 介质层扩散

辐射探测器电极：利用其稳定性和良好电学性能

研究领域：用于研究新型硅化物材料、界面物理、热电材料等

产品成分产品成分

产品成分